【摘要】本发明提供一种MOS器件的钝化层形成方法以及一种MOS器件。所述MOS器件的钝化层形成方法包括:形成衬底;在衬底上形成介质;图案化介质以露出部分衬底;在露出的衬底部分和介质上形成金属;在金属上形成正硅酸乙酯TEOS;在TEOS上形成
【摘要】 本发明涉及一种正反交错提花抗菌防皱面料,包括基布(1),基布(1)的正反两面均设有提花层(2),提花层(2)包括若干个提花区域(21)和非提花区域(22),所述提花区域(21)和非提花区域(22)均呈块状且交错排列,所述基布(1)由织物制成,所述织物由正层防皱层、中间粘合层和背面抗菌层组成,所述防皱层为一种带有记忆功能的聚氨酯材料,粘合层为热固型粘胶层,抗菌层为含有纳米竹炭纤维的织物层。正反交错提花抗菌防皱面料的正反面均设置交错分布的提花区域和非提花区域,增强了面料的层次感。本发明抗菌防皱。 【专利类型】发明申请 【申请人】顾方钟 【申请人类型】个人 【申请人地址】214434 江苏省江阴市开发区东定路65号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210594199.6 【申请日】2012-12-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103879044A 【公开公告日】2014-06-25 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】B32B3/14; B32B27/02; B32B27/12; B32B27/40; B32B33/00; B32B7/12 【发明人】顾方钟 【主权项内容】一种正反交错提花抗菌防皱面料,包括基布(1),所述基布(1)的正反两面均设有提花层(2),其特征在于:所述提花层(2)包括若干个提花区域(21)和非提花区域(22),所述提花区域(21)和非提花区域(22)均呈块状且交错排列,位于正反两面的提花区域(21)和非提花区域(22)交错对称分布,所述基布(1)由织物制成,所述织物由正层防皱层、中间粘合层和背面抗菌层组成,所述防皱层为一种带有记忆功能的聚氨酯材料,粘合层为热固型粘胶层,抗菌层为含有纳米竹炭纤维的织物层。 : 【当前权利人】顾方钟 【当前专利权人地址】江苏省江阴市开发区东定路65号 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
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