【摘要】 本发明涉及一种二维排布方式的无芯转接板封装方法，属于集成电路或分立器件封装技术领域。它包括以下工艺过程：芯片(2)阵列二维排布并通过金属微凸点阵列(2-2)倒装在高密度布线层(4)的正面电极(4-1)上，金属柱阵列(5)通过光刻、电镀的方式固定于高密度布线层(4)的背面电极(4-2)上，转接板基体(1)填满含有芯片(2)阵列、高密度布线层(4)和金属柱阵列(5)的整个圆片，金属柱阵列(5)的终端露出转接板基体(1)并通过植球或印刷焊膏、回流的方法形成BGA焊球凸点阵列(6)。本发明可极大地降低工艺难度和工艺成本，同时消除串扰信号，可实现高密度转接板技术的规模化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】江阴长电先进封装有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路９９号) 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210126557.0 【申请日】2012-04-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102651325B 【公开公告日】2014-07-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102651325B 【授权公告日】2014-07-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L21/98 【发明人】张黎; 赖志明; 陈锦辉; 陈栋 【主权项内容】1.一种二维排布方式的无芯转接板封装方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺过程：步骤一、取载体圆片Ⅰ(7)；步骤二、在所述载体圆片Ⅰ(7)上溅射或者化学镀上金属导电层(8)；步骤三、在所述金属导电层(8)上设置高密度布线层(4)，所述高密度布线层(4)的正面和背面分别设置若干个正面电极(4-1)和背面电极(4-2)；步骤四、在所述高密度布线层(4)上设置若干个芯片(2)，所述芯片(2)二维排布，并以倒装的方式通过金属微凸点阵列(2-2)固定于正面电极(4-1)上，芯片本体(2-1)、金属微凸点阵列(2-2)与高密度布线层(4)的间隙用填充料(3)形成底部填充；步骤五、转接板基体(1)以包封的方式填满整个芯片(2)阵列，形成带有芯片(2)阵列的圆片；步骤六、取载体圆片Ⅱ(9)；步骤七、在载体圆片Ⅱ(9)上形成临时键合层(10)；步骤八、将上述带有临时键合层(10)的载体圆片Ⅱ(9)上下翻转180度后与带有芯片(2)阵列的圆片键合起来；步骤九、将上述载体圆片Ⅰ(7)进行减薄，得到目标厚度；步骤十、将上述达到目标厚度的载体圆片Ⅰ(7)进行刻蚀，完全去掉载体圆片Ⅰ(7)露出金属导电层(8)；步骤十一、腐蚀掉金属导电层(8)，露出高密度布线层(4)的背面电极(4-2)；步骤十二、在高密度布线层(4)的背面电极(4-2)上通过光刻、电镀的方式形成金属柱阵列(5)；步骤十三、转接板基体(1)再次以包封的方式填充整个金属柱阵列(5)，并露出金属柱阵列(5)的终端；步骤十四、通过植球或印刷焊膏、回流的方法在金属柱阵列(5)的终端形成BGA焊球凸点阵列(6)；步骤十五、将带有芯片(2)阵列的圆片与带有临时键合层(10)的载体圆片Ⅱ(9)脱离，形成无芯转接板封装结构。 【当前权利人】江阴长电先进封装有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路９９号) 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】91320281753943521E 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】5

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