【摘要】 本发明涉及一种圆片级芯片封装方法，属于芯片封装技术领域。它包括设置有芯片电极(2)和芯片感应区(3)的芯片本体(1)，所述芯片本体(1)上设置隔离层(4)，所述隔离层(4)上设置盖板(5)，在所述芯片本体(1)的芯片电极(2)下通过光刻、干法刻蚀、去除光刻胶、再次干法刻蚀，形成喇叭形硅通孔(11)，硅通孔(11)处依次使用化学气相沉积(CVD)的方法形成绝缘层(12)、干法刻蚀的方法形成金属线路层(7)、线路保护层(8)和在线路保护层(8)上的焊球(9)。本发明的圆片级芯片封装方法的侧壁光滑度好、工艺兼容性好、工艺难度小、可靠性好。 【专利类型】发明授权 【申请人】江阴长电先进封装有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路９９号) 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210385667.9 【申请日】2012-10-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102881644B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102881644B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/78; H01L23/48 【发明人】陈栋; 张黎; 胡正勋; 陈锦辉; 赖志明 【主权项内容】1.一种圆片级芯片封装方法，其工艺步骤如下：步骤一：取集成了芯片电极(2)及芯片感应区(3)的芯片本体(1)组成的晶圆(T1)；步骤二：通过健合工艺将盖板(5)与晶圆(T1)通过隔离层(4)粘接在一起；步骤三：将上述结构上下翻转180°，通过磨片、干法刻蚀或湿法腐蚀方法，将晶圆(T1)减薄到设定厚度；步骤四：对上述结构依次通过光刻、干法刻蚀、去除光刻胶、再次干法刻蚀的方法，形成喇叭形的硅通孔(11)，所述硅通孔(11)的顶部直达芯片电极(2)的下表面；步骤五：在硅通孔(11)内部及芯片本体(1)下表面通过化学气相沉积(CVD)的方法，形成绝缘层(12)；步骤六：通过干法刻蚀的方法，使芯片电极(2)的下表面露出绝缘层(12)；步骤七：在芯片电极(2)的下表面和在绝缘层(12)上依次通过溅射、光刻、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺，或者通过溅射、光刻、金属刻蚀及化学镀工艺，形成选择性的金属线路层(7)；步骤八：在所述绝缘层(12)和金属线路层(7)上通过光刻工艺选择性地形成线路保护层(8)，并在所述金属线路层(7)的露出线路保护层(8)的地方印刷焊料或电镀焊料或植放焊球，然后使焊料或焊球通过回流的方法形成与金属线路层(7)连接的焊球(9)；步骤九：将上述晶圆(T1)进行切割，形成单颗的圆片级喇叭形孔芯片封装结构。。 【当前权利人】江阴长电先进封装有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路９９号) 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】91320281753943521E 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12

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