【摘要】 本发明涉及一种单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法及其封装结构，所述方法包括以下步骤：取金属基板；金属基板表面预镀铜；贴光阻膜作业；金属基板背面去除部分光阻膜；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；去除光阻膜；包封；塑封料表面开孔；挖沟槽；电镀导电金属；金属化前处理；电镀金属线路层；化学蚀刻；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充；清洗；植球和切割成品。本发明的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏长电科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210188447.7 【申请日】2012-06-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102723280B 【公开公告日】2014-07-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102723280B 【授权公告日】2014-07-09 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/48; H01L21/56; H01L23/31; C25D5/10; C25D5/02; C25D7/00 【发明人】王新潮; 梁志忠; 李维平 【主权项内容】一种单面三维线路芯片倒装先蚀后封制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜在金属基板表面镀一层铜材薄膜；步骤三、贴光阻膜作业在完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；步骤五、电镀惰性金属线路层在步骤四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域内电镀上惰性金属线路层；步骤六、电镀金属线路层在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上多层或是单层金属线路层；步骤七、去除光阻膜步骤八、包封将步骤七中的金属基板背面采用塑封料进行塑封；步骤九、贴光阻膜作业在步骤八的金属基板正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十、塑封料表面开孔在金属基板背面预包封塑封料的表面进行开孔作业；步骤十一、挖沟槽在塑封料表面进行后续电路线的挖沟槽动作；步骤十二、电镀导电金属在金属基板背面电镀一层导电金属；步骤十三、金属化前处理在基板背面进行电镀金属线路层的金属化前处理；步骤十四、电镀金属线路层在步骤十三中的金属基板背面镀上多层或是单层金属线路层；步骤十五、去除光阻膜步骤十六、包封将步骤十五中的金属基板背面再塑封一层塑封料；步骤十七、贴光阻膜作业在金属基板的正面以及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十八、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十七完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜；步骤十九、化学蚀刻将步骤十八中完成曝光显影的区域进行化学蚀刻；步骤二十、电镀金属线路层在惰性金属线路层表面镀上单层或是多层的金属线路层，金属电镀完成后即在金属基板上形成相应的引脚或基岛和引脚或基岛、引脚和静电释放圈；步骤二十一、去除光阻膜步骤二十二、装片及芯片底部填充在步骤二十的引脚正面或基岛正面和引脚正面倒装芯片及芯片底部填充环氧树脂；步骤二十三、包封将完成装片后的金属基板正面进行塑封料包封工序；步骤二十四、塑封料表面开孔在金属基板背面预包封塑封料的表面进行后续要植金属球的区域进行开孔作业；步骤二十五、清洗在金属基板背面塑封料开孔处进行氧化物质、有机物质的清洗；步骤二十六、植球在金属基板背面塑封体开孔处内植入金属球；步骤二十七、切割成品将步骤二十六完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得单芯片倒装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构。 【当前权利人】江苏长电科技股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号 【专利权人类型】股份有限公司(上市、自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320200142248781B 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】15

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