【摘要】 本发明公开一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，包括：对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8～5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2～0.5分钟；预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1～0.9slm，硅烷流量为180～200sccm，一氧化二氮流量为3.5～5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3～0.5分钟；沉积，温度为450℃，氨气流量为2000～2200sccm，硅烷流量为7000～8500sccm，一氧化二氮流量为2～3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3～5分钟；氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6～12slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5～8分钟。本发明制备的减反射膜具有抗PID效应，因此，光伏组件的抗衰减能力大幅提高。。： 【专利类型】发明授权 【申请人】东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214203 江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】宜兴市 【申请号】CN201210321237.0 【申请日】2012-09-03 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102864439B 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102864439B 【授权公告日】2014-04-02 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C23C16/52 【发明人】黄仑; 卢春辉; 吴俊清; 侯泽荣; 王金伟 【主权项内容】1.一种制备具有抗PID效应的减反射膜的方法，其特征在于包括下面的步骤：(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力80mTorr，时间为4分钟；(2)对硅片进行预处理，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8~5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟；(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.2~0.5分钟；(4)预沉积，温度为420℃，氨气流量为0.1 ~0.9slm，硅烷流量为180~200sccm，一氧化二氮流量为3.5~5.1slm，压力为1000mTorr，射频功率4300瓦，持续时间0.3~0.5分钟；(5)沉积，温度为450℃，氨气流量为2000~2200sccm，硅烷流量为7000~8500sccm，一氧化二氮流量为2~3.4slm，压力为1700mTorr，射频功率4300瓦，持续时间3~5分钟；(6)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~12slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5~8分钟。 【当前权利人】东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路6号 【专利权人类型】外商投资企业 【统一社会信用代码】91320282680505431M 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】16.0 【家族被引证次数】25

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790145294.html