【摘要】 低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。 【专利类型】发明授权 【申请人】扬州乾照光电有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225009 江苏省扬州市维扬路108号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201210263198.3 【申请日】2012-07-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102780159B 【公开公告日】2014-07-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102780159B 【授权公告日】2014-07-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01S5/343; H01S5/14 【发明人】张帆; 韩效亚; 杜石磊; 林晓珊; 叶培飞; 占荣; 耿松涛; 张双翔 【主权项内容】1.一种低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片，包括顺序连接的GaAs衬底层、缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层；所述缓冲层的厚度为100nm，材料为掺杂Si浓度为1×1018cm-3的GaAs；所述过渡层的厚度为300nm，材料为掺杂Si浓度为1×1018cm-3的AlxGa1-xAs；所述n型下限制层的厚度为1500nm，材料为掺杂Si浓度为1×1018cm-3的Al0.7Ga0.3As；所述下波导层的厚度为100nm，材料为Al0.3Ga0.7As；所述下势垒层的厚度为20nm，材料为GaAs；所述上势垒层的厚度为20nm，材料为GaAs；所述上波导层的厚度为100nm，材料为Al0.3Ga0.7As；所述p型上限制层的厚度为1500nm；所述欧姆接触层的厚度为300nm；其特征在于：所述过渡层中，掺杂Si浓度为1×1018cm-3的AlxGa1-xAs中的x为0.3～0.7；所述有源层的厚度为8nm，采用InxGa1-xAs应变材料，x=0.196；所述p型上限制层的材料为掺杂Zn浓度为1×1018cm-3的Al0.7Ga0.3As；所述欧姆接触层的材料为掺杂Zn浓度为1×1019cm-3的GaAs。 【当前权利人】扬州乾照光电有限公司 【当前专利权人地址】江苏省扬州市维扬路108号 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】913210916853225890 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4

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