【摘要】 一种半导体芯片的加工方法。涉及一种无机械损伤的裂解工艺。提供了一种能高效、无机械损伤，且为后续加工提供友好衔接措施的半导体芯片的加工方法。包括以下步骤：对晶片进行扩散、设置氧化层和在氧化层上光刻窗口的工序；光刻窗口后，所述氧化层在晶片表面呈网格状；然后按以下步骤加工：1)、设置电极层；2)、一次酸蚀；3)、二次酸蚀；本发明工艺中先形成电极窗口，往晶片表面所述电极窗口上镀覆金属电极层。金属电极层在后道两次酸腐蚀过程中，基本与酸无反应。强酸与硅质的晶片本体有强烈的化学反应，并能迅速“蚀透”晶片本体，进而使得晶片按照设计形状裂解，最终制得常规手段难以获得的六角形、圆形等芯片。 【专利类型】发明授权 【申请人】薛列龙 【申请人类型】个人 【申请人地址】225000 江苏省扬州市广陵区五台山路55号 【申请人地区】中国 【申请人城市】扬州市 【申请人区县】广陵区 【申请号】CN201210004216.6 【申请日】2012-01-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102522329B 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102522329B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/28 【发明人】薛列龙 【主权项内容】一种半导体芯片的加工方法，包括以下步骤：对晶片进行扩散、设置氧化层和在氧化层上光刻窗口的工序；光刻窗口后，所述氧化层在晶片表面呈网格状；其特征在于，然后按以下步骤加工：1)、设置电极层；往所述窗口内晶片表面镀覆金属电极层；2)、一次酸蚀；采用氢氟酸去除晶片表面的网格状氧化层，在所述金属电极层之间形成网格状沟槽；3)、二次酸蚀；沿网格状沟槽往下注入混酸，腐蚀晶片本体，直至蚀透晶片本体，使得晶片本体分裂为若干芯片；所述混酸包括氢氟酸、硝酸、冰醋酸、硫酸，四者的比例为1：1：X：Y，其中X的取值范围1-20，Y的取值范围1-15；制得。 【当前权利人】合肥协鑫集成光电科技有限公司 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790100807.html