【摘要】 本发明公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏威纳德照明科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213342 江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】溧阳市 【申请号】CN201210353018.0 【申请日】2012-09-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102856787B 【公开公告日】2014-08-13 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102856787B 【授权公告日】2014-08-13 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01S5/02 【发明人】虞浩辉; 周宇杭 【主权项内容】1.一种GaN衬底激光二极管，包括n-GaN衬底，在衬底上依次沉积有n型包覆层、n型光导层和有源层，n型包覆层是n-AlaInbGa1-a-bN，其中0≤a，b，a+b≤1；n型光导层为n-AlcIndGa1-c-dN，其中0≤c，d，c+d≤1；有源层是超晶格结构的n-AleInfGa1-e-fN/n-AIgInhGa1-g-hN多量子阱层，其中0≤e，f，g，h，e+f，g+h≤1；其特征在于，形成GaN衬底的方法包括如下步骤：(1)在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；(2)对GaN晶片加热的同时加压，加热至温度为820～880℃，加压至压力为4.1～4.6GPa，保持10～15分钟；(3)停止加热，使GaN晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaN晶片恢复至常压，卸压速度为0.5～0.8GPa/分钟；(4)在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。。 【当前权利人】江苏威纳德照明科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市溧阳市社渚镇创新路8号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913204815538061940 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】1

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