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一种衬底图形化的倒装LED芯片及其制备方法专利

时间:2026-09-21    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明公开了一种衬底图形化的倒装LED芯片及其制备方法。本发明对倒装芯片的蓝宝石衬底进行了图形化处理,增加了芯片出光面积,从而提高了芯片的发光效率。其制备过程为:先在蓝宝石衬底上制备InGaAlN多层结构,然后对倒装芯片蓝宝石衬底背面进行减薄、抛光、涂光刻胶、光刻以及刻蚀处理,形成蓝宝石衬底图形化形状为三棱锥行、倒圆锥形或半球形等任意常见的规则图案的倒装LED芯片器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】晶能光电(常州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】武进区 【申请号】CN201210579025.2 【申请日】2012-12-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103904182A 【公开公告日】2014-07-02 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L33/20; H01L33/22 【发明人】彭翔; 赵汉民; 张璟; 傅建华 【主权项内容】一种倒装LED芯片,包括用于出光的蓝宝石衬底,在所述蓝宝石衬底上形成的InGaAlN多层结构,其特征在于:所述倒装LED芯片的蓝宝石衬底表面进行了图形化刻蚀。 【当前权利人】晶能光电(常州)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320412576689373D 【引证次数】3.0 【被引证次数】3 【他引次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3

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