【摘要】 本发明公开了一种双面异质结太阳电池及制备方法，包括硅片基体层，所述硅片基体层背面从内到外依次具有本征层、重掺杂BSF层以及背电极，硅片基体层的正面具有平行设置呈倾斜状的槽体，槽体斜面上分别设有本征硅薄膜和p型硅薄膜层，在p型硅薄膜层上设有作为正面电极的透明导电薄膜，透明导电薄膜和槽体底面上分别设有薄膜减反层，硅片基体层表面还具有与透明导电薄膜电性连接的银浆层。本发明由于电极采用倾斜设置，p型硅薄膜层又设置在槽体倾斜面上，使得p型硅薄膜层与电极之间成倾斜接触，充分利用了槽体倾斜面垂直投影面积较小的优点，从而减小正面电极对整个电池的遮光损失，有效地改善了电池的光谱响应，有利于电池整体性能的提高。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210206186.7 【申请日】2012-06-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102751370B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102751370B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/0747; H01L31/0352; H01L31/0224; H01L31/18 【发明人】郭万武 【主权项内容】一种双面异质结太阳电池的制备方法，该太阳电池包括硅片基体层(1)，所述硅片基体层(1)背面从内到外依次具有本征层(2)、重掺杂BSF层(3)以及背电极(4)，硅片基体层(1)的正面具有平行设置呈倾斜状的侧面的槽体(5)，槽体(5)斜面上分别设有本征硅薄膜(6)和p型硅薄膜层(7)，在p型硅薄膜层(7)上设有作为正面电极的透明导电薄膜(10)，透明导电薄膜(10)和槽体(5)底面上分别设有薄膜减反层(8)，硅片基体层(1)表面还具有与透明导电薄膜(10)电性连接的银浆层(9)，其特征是：该制备方法具有以下步骤：1)采用厚度为150～300μm的n型单晶硅片作为衬底的硅片基体层(1)，并对硅片基体层(1)表面进行常规清洗；2)在硅片基体层(1)背面采用PECVD沉积本征层(2)，在本征层(2)表面沉积一层重掺杂BSF层(3)，厚度为10～50nm，同时形成可改善载流子输送的背面场BSF；3)在重掺杂BSF层(3)表面采用磁控溅射方式沉积厚度为1～3μm金属铝膜作为背电极(4)；4)在硅片基体层(1)正面采用激光刻槽方式制备平行的倾斜状的侧面的槽体(5)；5)对槽体(5)内进行常规化学清洗，并在槽体(5)内采用PECVD或HWCVD或LPCVD方法依次沉积本征硅薄膜(6)和p型硅薄膜层(7)；6)利用湿法刻蚀法对槽体(5)底部的p型硅薄膜层(7)进行刻蚀去除，保留槽体(5)斜面上的p型硅薄膜层(7)；7)在p型硅薄膜层(7)上采用磁控溅射沉积透明导电薄膜(10)，然后在透明导电薄膜(10)上采用丝网印刷技术制备低温银浆层(9)，并在低于200℃条件下烘干形成电极；8)在硅片基体层(1)正面其他区域采用PECVD法结合掩膜技术沉积薄膜减反层(8)，得到异质结太阳电池。。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3

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