【摘要】 公开了一种多晶硅片晶向测试方法。根据本发明的方法包括：获得硅片的光致发光成像图像；对所述光致发光成像图像进行处理，获得晶粒的成像亮度信息；基于晶粒的亮度信息判断晶粒的晶向。其中，基于以下标准进行判断：各晶向区域中，最亮的区域为< 100> 晶向，最暗的区域为< 111> 晶向，其他晶向介于二者之间。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市天合光伏产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210147178.X 【申请日】2012-05-11 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102680444B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102680444B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01N21/64 【发明人】付少永; 熊震; 刘振淮 【主权项内容】一种硅片晶向测试方法，包括：a)获得硅片的光致发光成像图像；b)对所述光致发光成像图像进行处理，获得晶粒的成像亮度信息，该步骤b)包括：对所述光致发光成像图像进行直方图分析，所述直方图为亮度和对应像素数目的直方图；通过直方图分析获得图像中亮度的3个高斯峰，以及相应的第一分割阈值和第二分割阈值，其中第一分割阈值的亮度值大于第二分割阈值；基于所述第一和第二分割阈值对所述光致发光成像图像进行图像分割，得到亮度值大于第一分割阈值的第一图像区域、亮度值在第二分割阈值和第一分割阈值之间的第二图像区域、和亮度值小于第二分割阈值的第三图像区域；以及c)基于所述第一、第二和第三图像区域的各区域平均亮度值判断晶粒的晶向。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】6.0 【被引证次数】1 【他引次数】6.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】12

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