【摘要】 -官网 。本发明涉及一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法，具有如下步骤：1)在坩埚底部铺设籽晶；2)在籽晶上铺设低堆积密度硅料层；3)在低堆积密度硅料层上，铺设高堆积密度硅料层；4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料；5)将按照1至4步骤进行装料的坩埚置于铸锭炉中熔化，通过激光测距仪实时测量硅熔体液面；6)当监测到硅熔体液面高度加快下降时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，并开始向上结晶。该方法通过装料方式和激光测量液位相结合的方式，来控制籽晶熔化剩余高度，具有精度高、稳定、自动化程度高、成本低等优点，可以稳定得把铸锭单晶生产熔化过程籽晶剩余高度控制在目标值±2mm范围内。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210047063.3 【申请日】2012-02-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102586857B 【公开公告日】2014-11-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102586857B 【授权公告日】2014-11-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C30B11/00; C30B28/06; C30B29/06 【发明人】叶宏亮; 陈雪; 黄振飞 【主权项内容】1.一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法，其特征是：具有如下步骤： 1)在坩埚底部铺设籽晶； 2)在籽晶上铺设堆积密度为0.2-1.5g/cm3的低堆积密度硅料层； 3)在低堆积密度硅料层上，铺设堆积密度为2.1-2.33g/cm3的高堆积密度硅料层； 4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料； 5)将按照1至4步骤的装料方式进行装料的坩埚置于铸锭炉中，通过控制热场使硅料将从上往下开始逐层熔化，在熔化阶段，通过激光测距仪实时测量硅熔体液面距离激光器的距离； 6)当激光测距仪测量的液面距离的变化率从原来的0.003-0.018mm/min变化到0.5-10mm/min时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，固液界面一段时间后将稳定在籽晶的某一高度，并开始向上结晶，完成籽晶诱导，经退火、冷却、出炉得到合格的铸锭单晶晶锭。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】6.0 【被引证次数】3 【他引次数】6.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】13

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