【摘要】 本发明涉及一种硫化亚锡太阳能电池及其制备方法，硫化亚锡太阳能电池具有玻璃基片，所述的玻璃基片制备有P电极与N电极，P电极与N电极呈插指状，P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜，P型硫化亚锡薄膜厚度为1.5～3um，所述的P型硫化亚锡薄膜与N电极非接触，P型硫化亚锡薄膜、N电极表面、P型硫化亚锡薄膜和N电极之外的间隙完全覆盖有硫化锌薄膜，硫化锌薄膜超出P型硫化亚锡薄膜的厚度为0.5～1um。采用本发明结构的硫化亚锡太阳能电池，增加了太阳能电池的光吸收面积，电池效率得到提高。另外，减少了透明导电层的制作过程，电池的制造成本得到降低。 数据由整理 【专利类型】发明授权 【申请人】常州天合光能有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210205606.X 【申请日】2012-06-20 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102751340B 【公开公告日】2014-09-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102751340B 【授权公告日】2014-09-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/0224; H01L31/0296; H01L31/18 【发明人】柳伟 【主权项内容】一种硫化亚锡太阳能电池，其特征在于：具有玻璃基片，所述的玻璃基片上制备有P电极与N电极，所述的P电极与N电极呈插指状，P电极栅线宽度550～650um，N电极栅线宽度150～250um，P电极与N电极之间的电极间距为1～2mm，P电极与N电极的厚度为0.5～1.5um，所述的P电极上完全覆盖有P型硫化亚锡薄膜，P型硫化亚锡薄膜厚度为1.5～3um，所述的P型硫化亚锡薄膜与N电极非接触，硫化锌薄膜完全覆盖所述的P型硫化亚锡薄膜表面、N电极表面、以及P型硫化亚锡薄膜和N电极之外的间隙，所述的硫化锌薄膜超出P型硫化亚锡薄膜的厚度为0.5～1um，所述的硫化锌薄膜上制备有氟化镁薄膜，所述的氟化镁薄膜的厚度为0.5～1.5um。。 【当前权利人】天合光能股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91320411608131455L 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】2

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