【摘要】１．本外观设计产品的名称：花布。２．本外观设计产品的用途：布。３．本外观设计的设计要点：设计要点在主视图。４．最能表明设计要点的图片或者照片：主视图。５．本外观设计为平面产品，其他视图无设计要点，省略其他视图。６．本外观设计的单元图
【摘要】 本实用新型涉及一种减少穿通时间的可控硅结构，包括阴极区、P-短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述台面槽内覆有玻璃钝化层，所述硼穿通扩散区设于长基区的左右两侧，其特征是所述每个硼穿通扩散区的上下两角均开有穿通槽，所述穿通槽的深度为10-20μm。本实用新型为减少穿通时间，采用挖槽的形式对穿通环部分厚度进行减薄，形成穿通槽，使得实际需要穿通的厚度等于或小于230微米，使得穿通时间小于180小时，达到或低于常规稳定工艺条件。 【专利类型】实用新型 【申请人】启东吉莱电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】226224 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201020240872.2 【申请日】2010-06-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201804873U 【公开公告日】2011-04-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201804873U 【授权公告日】2011-04-20 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/74; H01L29/10 【发明人】耿开远; 周健; 朱法扬 【主权项内容】一种减少穿通时间的可控硅结构，包括阴极区、P‑短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述台面槽内覆有玻璃钝化层，所述硼穿通扩散区设于长基区的左右两侧，其特征是所述每个硼穿通扩散区的上下两角均开有穿通槽，所述穿通槽的深度为10‑20μm。 【当前权利人】启东吉莱电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 【被引证次数】6 【被自引次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】6
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