【摘要】一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管,肖特基金属电极外围有一层绝缘介质薄膜,将肖特基金属电极延伸到绝缘介质薄膜上方并部分覆盖介质薄膜,即在肖特基电极外围形成一圈金属-绝缘介质层-半导体(MIS)场板结构,所述的场板结构的绝缘介质层包含
【摘要】 本实用新型涉及带导柱铰刀,包括刀柄、刀头和导柱,所述刀头固定在刀柄的一端,所述导柱与刀头固定连接,所述导柱的横向中线与刀柄的横向中心重叠,所述刀头上设有刀刃,其特征在于:所述导柱为圆锥台结构。本实用新型的结构设计合理,定位准确,加工同心度更好。 【专利类型】实用新型 【申请人】黄东卫 【申请人类型】个人 【申请人地址】226236 江苏省启东市近海镇向北村二组49号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南通市 【申请人区县】启东市 【申请号】CN201020519647.2 【申请日】2010-09-06 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201815755U 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201815755U 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【发明人】施柳花 【主权项内容】带导柱铰刀,包括刀柄、刀头和导柱,所述刀头固定在刀柄的一端,所述导柱与刀头固定连接,所述导柱的横向中线与刀柄的横向中心重叠,所述刀头上设有刀刃,其特征在于:所述导柱为圆锥台结构。 【当前权利人】黄东卫 【当前专利权人地址】江苏省启东市近海镇向北村二组49号
未经允许不得转载:http://www.zhongzhencnc.com/1785756863.html






