【摘要】 本发明公开一种金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板，包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极；所述的硅基底具有通孔结构，硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层，氮化硅截止层上表面设有二氧化硅绝热层，二氧化硅绝热层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组，在硅基底通孔的顶部氮化硅截止层的下表面设有硅岛。本发明还公开了上述微加热板的制造工艺。本发明将加热电极、叉指信号电极、测温电极制作于一层，降低了制造复杂度，提高了成品率；在传感器工作区域的下方设计并制造出一个硅岛结构以传导加热电极所产生的热量，使得工作区域得到均匀的温度分布。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210009 江苏省南京市鼓楼区中山北路200号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010518328.4 【申请日】2010-10-26 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102070118A 【公开公告日】2011-05-25 【公开公告年份】2011 【发明人】殷晨波; 张子立; 陶春旻; 朱斌; 董宁宁 【主权项内容】金属氧化物半导体纳米薄膜气体传感器用微加热板，其特征在于它包括硅基底、硅岛、氮化硅截止层、二氧化硅绝热层、叉指信号电极、测温电极、加热电极；所述的硅基底具有通孔结构，硅基底的上表面包括通孔的顶部设有氮化硅截止层，氮化硅截止层上表面设有二氧化硅绝热层，二氧化硅绝热层上表面设有叉指信号电极、测温电极和加热电极组成的电极组，在硅基底通孔的顶部氮化硅截止层的下表面设有硅岛。 【当前权利人】南京工业大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市鼓楼区中山北路200号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1232000046600680XN 【被引证次数】28 【被他引次数】28.0 【家族被引证次数】28

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