【摘要】本发明公开了一种GaAs基MOS器件的制备方法,首先对衬底进行清洗,之后用8~40%体积比的(NH4)2S水溶液浸泡10~40分钟进行钝化。然后用MOCVD沉积薄层Gd2O3控制层,最后用ALD沉积高k栅介质层。本发明通过引入薄层G
【摘要】 本发明提供一种铝包光缆复合绞线,包括线芯及围绕在线芯外围的多层铝导线,每层铝导线均包括多条铝导线,其特征在于,还包括由厚壁金属铝包覆层包覆的光纤束,即铝包光缆,所述铝包光缆设置于最外层的多条铝导线之间。采用本发明的铝包光缆复合绞线可以有效降低各种传输线路廊道的占地面积和耕地,有效预防机械损伤和盗割,保证传输的电能、通信和广播电视信号质量和安全可靠性,同时保证及改善廊道附近的居民和生物的生存条件。 【专利类型】发明申请 【申请人】国网电力科学研究院 【申请人类型】企业 【申请人地址】210003 江苏省南京市南瑞路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】鼓楼区 【申请号】CN201010293697.8 【申请日】2010-09-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102005266A 【公开公告日】2011-04-06 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01B11/22 【发明人】曹晶; 刘岩松; 谷莉莉 【主权项内容】一种铝包光缆复合绞线,包括线芯及围绕在线芯外围的多层铝导线,每层铝导线均包括多条铝导线,其特征在于,还包括由厚壁金属铝包覆层包覆的光纤束,即铝包光缆,所述铝包光缆设置于最外层的多条铝导线之间。 【当前权利人】国网电力科学研究院 【当前专利权人地址】江苏省南京市南瑞路8号 【专利权人类型】国有企业 【统一社会信用代码】913201157331580674 【引证次数】5.0 【被引证次数】2 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】2
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