【摘要】本发明公开了一种白果多肽的制备方法，包括以下步骤：原料去壳、去种皮后磨浆、干燥、去脂，去脂白果粉酶水解，酶解液进行膜分离，收集截留液浓缩，溶剂分级沉淀多糖和多肽，多肽沉淀物经过洗涤，冷冻干燥得到多肽干粉。多肽类活性物分子量为3000
【摘要】 本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其结构自下而上由衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的AlN缓冲层生长在衬底上；p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层外延生长在前述AlN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层的前表面上，厚度在nm数量级。该结构采用多组分和梯度掺杂光电发射层，增大了发射层内光激发电子的逃逸深度，提高了发射层内电子发射到真空的几率，从而提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率，获得较高的紫外灵敏度。 -官网 【专利类型】发明申请 【申请人】南京理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210094 江苏省南京市孝陵卫200号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010565133.5 【申请日】2010-11-30 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102064206A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【发明人】常本康; 李飙; 徐源; 杜玉杰; 王晓晖; 杜晓晴 【主权项内容】： 。一种多组分、梯度掺杂GaN紫外光电阴极材料结构，其特征在于，该材料结构自下而上依次为衬底(1)、非故意掺杂的AlN缓冲层(2)、p型GaxAl1‑xN多组分混晶光电发射层(3)以及Cs或Cs/O激活层(4)。 【当前权利人】南京理工大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区孝陵卫200号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000466007597C 【被引证次数】16 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】16
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