【摘要】 本发明公开一种用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，包括以下步骤：第一步，制备定向生长的碳纳米管束阵列，碳纳米管束的直径为0.5-30微米，间距为0.8-100微米，长度为40-500微米；第二步，在上述的定向生长碳纳米管束表面沉积金属钨形成导体阵列；第三步，使得硼硅玻璃与导体阵列在硼硅玻璃熔融状态下形成复合体，第四步，对于形成的复合体的上下表面进行磨抛使得沉积金属钨的碳纳米管束端部暴露，从而得到用于系统级封装的高密度转接板。该发明采用的材料的热膨胀系数低，工艺方法耗时短，因而具有高密度、可靠性高、低成本的优点。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010617889.X 【申请日】2010-12-31 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102070120A 【公开公告日】2011-05-25 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102070120B 【授权公告日】2012-09-05 【授权公告年份】2012.0 【发明人】尚金堂; 于慧; 罗新虎; 蒋明霞; 刘靖东 【主权项内容】1.一种用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，制备定向生长的碳纳米管束阵列(2)，碳纳米管束的直径为0.5-30微米，间距为0.8-100微米，长度为40-500微米；第二步，在上述的定向生长碳纳米管束表面沉积金属钨(1)形成导体阵列；第三步，使得硼硅玻璃(3)与导体阵列在硼硅玻璃熔融状态下形成复合体，第四步，对于形成的复合体的上下表面进行磨抛使得沉积金属钨的碳纳米管束端部暴露，从而得到用于系统级封装的高密度转接板。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】11 【被自引次数】2.0 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】22

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