【摘要】一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管,包括N型碳化硅衬底,在N型碳化硅衬底上设N型外延层,在N型外延层内设源和P型漂移区,在P型漂移区内设有漏和N型保护环,在源上设源的金属引线,在漏上设源漏的金属引线,在源与P型漂移区之
【摘要】 本实用新型公开了一种零功耗液位报警器,它包括内部中空的浮子导轨,在浮子导轨内间隔设有同向倾斜放置的上零功耗磁敏传感器和下零功耗磁敏传感器;上零功耗磁敏传感器的一端连接有一号信号输出线,另一端连接有二号信号输出线;下零功耗磁敏传感器的一端连接有三号信号输出线,下零功耗磁敏传感器的另一端与二号信号输出线连接;浮子导轨的外部上端设有上限位阻挡,浮子导轨的外部底端设有下限位座;在浮子导轨的外部空套有浮子,浮子上设有N级朝上放置的环形磁铁。本实用新型无需供电,无触点,是一种零功耗的液体报警器;本报警器是一种本质安全型的液位报警器,符合国家安全标准,即使零功耗液位报警器破损也不会引发危险。 【专利类型】实用新型 【申请人】南京艾驰电子科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】210002 江苏省南京市白下区洪武路198号城开大厦A幢901室 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201020206601.5 【申请日】2010-05-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201697698U 【公开公告日】2011-01-05 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201697698U 【授权公告日】2011-01-05 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G01F23/74; G01F23/76 【发明人】张年容; 许辉军; 李云方; 周卫琴; 崔义炜; 朱云; 郑主惠; 潘旭东; 俞方; 陈剑 【主权项内容】一种零功耗液位报警器,其特征在于:它包括内部中空的浮子导轨(1),在浮子导轨(1)内间隔设有上零功耗磁敏传感器(2)和下零功耗磁敏传感器(3),且所述的上零功耗磁敏传感器(2)、下零功耗磁敏传感器(3)同向倾斜放置;上零功耗磁敏传感器(2)的一端连接有一号信号输出线(4),另一端连接有二号信号输出线(5);下零功耗磁敏传感器(3)的一端连接有三号信号输出线(6),下零功耗磁敏传感器(3)的另一端与二号信号输出线(5)连接;浮子导轨(1)的外部上端设有上限位阻挡(7),浮子导轨(1)的外部底端设有下限位座(8);在浮子导轨(1)的外部空套有浮子(9),浮子(9)上设有环形磁铁(10),环形磁铁(10)的N级朝上放置。 【当前权利人】南京艾驰电子科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省南京市白下区洪武路198号城开大厦A幢901室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91320104748230535K 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族被引证次数】6
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