【摘要】 一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括N型碳化硅衬底，在N型碳化硅衬底上设N型外延层，在N型外延层内设源和P型漂移区，在P型漂移区内设有漏和N型保护环，在源上设源的金属引线，在漏上设源漏的金属引线，在源与P型漂移区之间的N型外延层的上方设栅氧化层且与源的金属引线邻接，在N型保护环的表面、漏的表面以及N型外延层的表面设有场氧化层，在栅氧化层上设有栅，在漏的金属引线上设金属场极板，在N型碳化硅衬底与N型外延层之间设P型浮置埋层，且所述P型浮置埋层位于N型碳化硅衬底与N型外延层交界面上。其制备方法是选择N型碳化硅衬底后，采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，再进行其它常规操作。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201020224320.2 【申请日】2010-06-11 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201741700U 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201741700U 【授权公告日】2011-02-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/08; H01L29/06 【发明人】钱钦松; 庄华龙; 孙伟锋; 潘晓芳; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括：N型碳化硅衬底(1)，在N型碳化硅衬底(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)内设有源(4)和P型漂移区(3)，在P型漂移区(3)内设有漏(5)和N型保护环(7)，在源(4)上设有源的金属引线(12)，在漏(5)上设有漏的金属引线(11)，在源(4)与P型漂移区(3)之间的N型外延层(2)的上方设有栅氧化层(6)且与源的金属引线(12)邻接，在N型保护环(7)的表面、漏(5)的金属引线(11)以外的表面、P型漂移区(3)的漏(5)和N型保护环(7)以外的表面以及N型外延层(2)的源的金属引线(12)和栅氧化层(6)以外的表面设有场氧化层(8)，在栅氧化层(6)上设有栅(10)，在漏的金属引线(11)上设有金属场极板(9)，其特征在于，在N型碳化硅衬底(1)与N型外延层(2)之间设有P型浮置埋层(13)，且所述P型浮置埋层(13)位于N型碳化硅衬底(1)与N型外延层(2)交界面上。  微信 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】4 【被自引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】4

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