【摘要】 本发明提出的矩形硅膜二维风速风向传感器采用矩形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)有16个，分别位于矩形的半导体硅薄膜(104)的一边均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210096 江苏省南京市四牌楼2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010501541.4 【申请日】2010-09-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101975870A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101975870B 【授权公告日】2012-05-23 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G01P5/12; G01P13/02; B81B3/00 【发明人】李伟华 【主权项内容】一种矩形硅膜二维风速风向传感器，其特征在于采用矩形的半导体硅薄膜(104)作为传感面，传感器的最下层是半导体硅衬底(101)，在硅衬底(101)上设置一排发热电阻(102)，在具有发热电阻(102)的硅衬底(101)之上设置二氧化硅绝缘层(103)，在二氧化硅绝缘层(103)之上设置半导体硅薄膜(104)，金属电极(105)位于矩形的半导体硅薄膜(104)的一边均匀分布；利用热分布变化引起半导体薄膜电阻率分布变化的原理测量风速和风向。 【当前权利人】江苏天鹏机电制造有限公司; 东南大学 【当前专利权人地址】江苏省南通市海安市大公镇工业园区; 江苏省南京市玄武区四牌楼2号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】4.0 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1785458226.html