【摘要】 本发明公开了一种提高光存储介质纠错能力的方法，步骤是先生成纠错码块，再把纠错码块写入光学储存介质。生成纠错码块的步骤包括：将以字节为单位的用户数据以行优先的顺序排列成M行×N列的数据块，将K个M行×N列的数据块按列方向排列在一起，形成(K×M)行×N列的数据块；在数据块N列的每一列末尾分别加入K字节的第一纠错校验字，形成N个长度为(K×M+K)字节的第一码字，在数据块(K×M+K)行的每一行末尾分别加入P字节的第二纠错校验字，形成(K×M+K)个长度为(N+P)字节的第二码字，最终形成(K×M+K)行×(N+P)列的ECC块；将K行第一纠错校验字依次插入到K个(M行×N列)数据块的下方。本发明的数据读取纠错能力更强。 【专利类型】发明申请 【申请人】蒋骏宁; 倪屹; 张笑天 【申请人类型】个人 【申请人地址】210096 江苏省南京市玄武区四牌楼二号信息工程学院 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010572087.1 【申请日】2010-12-03 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102034515A 【公开公告日】2011-04-27 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】G11B20/18 【发明人】倪屹; 蒋骏宁; 张笑天 【主权项内容】 一种提高光存储介质纠错能力的方法，步骤包括：先生成纠错码块，再把纠错码块写入光学储存介质，其特征在于，所述生成纠错码块的步骤包括：A、将以字节为单位的数据进行排列，按照行优先的顺序排列成M行×N列的数据块；B、将连续的K个(M行×N列)数据块按列方向排列在一起，形成(K×M)行×N列的矩阵块；C、在数据块N列的每一列末尾分别加入K字节的第一纠错校验字，形成N个长度为(K×M+K)字节的第一码字；在数据块(K×M+K)行的每一行末尾分别加入P字节的第二纠错校验字，形成(K×M+K)个长度为(N+P)字节的第二码字；D、将K行第一纠错校验字依次插入到K个(M行×N列)数据块的下面，其中，每一个M行数据下方包含一行的第一纠错校验字，形成K×(M+1)行×(N+P)列的数据写入格式，最终生成纠错码块。 【当前权利人】蒋骏宁; 倪屹; 张笑天 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区四牌楼二号信息工程学院; ; 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2

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