【摘要】 。本发明公开了一种通过铁电极化可以调控有效电阻的单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式。本发明的单相铁电薄膜包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋Bi4-xAxTi3O12；本发明利用脉冲激光沉积、激光分子束外延、磁控溅射的薄膜制备方法制备单相铁电薄膜；制得的铁电薄膜的厚度在0.4-1000纳米，并且具有较大的电导和漏电流，同时具备铁电性和半导体性能；本发明提供了一种提高单相铁电薄膜抗疲劳性能的方法，其铁电极化翻转次数可以提高到x=102~1010次，通过翻转铁电极化，可以调控单相铁电薄膜的有效电阻。 【专利类型】发明申请 【申请人】南京理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】210094 江苏省南京市孝陵卫200号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南京市 【申请人区县】玄武区 【申请号】CN201010559251.5 【申请日】2010-11-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102157682A 【公开公告日】2011-08-17 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102157682B 【授权公告日】2014-08-20 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L45/00; C23C14/28; C23C14/35; C23C14/06 【发明人】陈孝敏; 刘璐; 袁国亮 【主权项内容】1.一种单相铁电薄膜，其特征在于：包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋Bi4-xAxTi3O12，其中0￡x￡0.8，0￡y￡0.8，A为Sr、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、La、Nd、Tb、Sm、Pr、Mg中的一种或多种金属离子，B为Co、Fe、Nb、Mn、Zr、Zn中的一种或多种金属离子。 【当前权利人】南京理工大学 【当前专利权人地址】江苏省南京市玄武区孝陵卫200号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000466007597C 【引证次数】3.0 【被引证次数】44 【他引次数】3.0 【被自引次数】5.0 【被他引次数】39.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】44

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