【摘要】本发明公开了一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法。本方法采用Al靶和金属镍片进行磁控共溅射,系统的本底真空度为10-4Pa-10-5Pa,溅射过程中工作气体为高纯的氮气和高纯氩气,氩气和氮气的比例为7∶3,溅射气压为1.
【摘要】 本实用新型提供了一种盘子,包括一个中间低平四周略高的盘体,在所述的盘体上还设置有由透明材料制成的内盘,所述的内盘周围具有与所述的盘体周边扣结的翻边,在所述的盘体和内盘中间还设置有装饰层。本实用新型由于在托盘的盘子上面增加了透明的内盘,在内盘与盘之间设置装饰作用的装饰层,内盘内就可以感觉装饰效果,使用时不需要另外在盘内垫一张广告纸,符合现在环保低碳生活的要求。。 【专利类型】实用新型 【申请人】唐燕曦 【申请人类型】个人 【申请人地址】518000 广东省深圳市福田区福民新村17-503 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】福田区 【申请号】CN201020239926.3 【申请日】2010-06-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201743427U 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201743427U 【授权公告日】2011-02-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】A47G23/06 【发明人】唐燕曦 【主权项内容】一种盘子,包括一个中间低平四周略高的盘体(1),其特征在于:在所述的盘体(1)上还设置有由透明材料制成的内盘(3),所述的内盘(3)周围具有与所述的盘体(1)周边扣结的翻边(4),在所述的盘体(1)和内盘(3)中间还设置有装饰层(2)。 【当前权利人】唐燕曦 【当前专利权人地址】广东省深圳市福田区福民新村17-503 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
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