【摘要】 一种形成MBMS器件的方法包括在子结构(200)沉积传导材料(224)，在传导材料上形成第一牺牲层(230)，其中包括在第一形成层上形成大致平的表面(232)，并在第一牺牲层的大致平的平面上形成第一元件(141)，其中包括通过第一牺牲层第一元件与传导材料连通。另外，该方法还包括在第一元件上形成第二牺牲层(270)，包括形成第二牺牲层的大致平的表面(272)，在形成第二牺牲层之后，形成穿过第二牺牲层到第一元件的支承件(290)，其中包括填充支承件，并在支承件上形成第二元件(142)以及第二牺牲层的大致平的表面。因此，该方法还包括大致去除第一牺牲层和第二牺牲层，由此通过支承件相对于第一元件支承第二元件。 【专利类型】发明申请 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学园区力行六路八号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200410055678.6 【申请日】2004-08-02 【申请年份】2004 【公开公告号】CN1603225B 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN1603225B 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】B81C1/00; B81C5/00; G02F1/19; B81B3/00; G02B26/08 【发明人】M·G·蒙罗; E·L·尼克尔; D·M·拉扎罗夫 【主权项内容】一种形成微反射镜器件的方法，该方法包括：在子结构(200)沉积传导材料(224)；在传导材料上形成牺牲材料的第一层(230)；在牺牲材料的第一层上形成铰链元件(141)，其中包括通过牺牲材料的第一层，将铰链元件与传导材料连通；在铰链元件上形成牺牲材料的第二层(270)；在形成牺牲材料的第二层之后，形成穿过牺牲材料的第二层到铰链元件的封堵通路(290)，其中形成封堵通路包括形成穿过牺牲材料的第二层到铰链元件的开口(274)，在开口内沉积保护材料(292)，并通过封堵材料(294)填充开口；在封堵通路和牺牲材料的第二层上形成反射元件(142)，其中该反射元件(142)整体具有大致平的表面(144)；以及去除牺牲材料的第一层和第二层，而保留在封堵通路内形成的支撑件相对于铰链元件支承反射元件。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】26.0 【家族被引证次数】409.0

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