【摘要】本发明公开了一种量子阱红外探测器,采用了GaAsAlxGa1-xAs材料体系,利用MBE或者MOCVD技术生长,通过标准的半导体工艺制备。本发明的量子阱结构具有特定的结构参数,势阱的硅杂质掺杂浓度高于1×1012cm-2,使探测器能
【摘要】 1.本外观设计产品的名称为抗折弯集约探测器。2.本外观设计产品应用于伸缩门领域。3.立体图体现了本外观设计产品的主要特点。4.立体图用于出版公报。5.后视图与主视图对称,故省略后视图。 【专利类型】外观设计 【申请人】顾伟义 【申请人类型】个人 【申请人地址】214400 江苏省无锡市锡山区东港镇港南村 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201030216494.X 【申请日】2010-06-23 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301437616S 【公开公告日】2011-01-12 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301437616S 【授权公告日】2011-01-12 【授权公告年份】2011.0 【发明人】顾伟义 【主权项内容】无 【当前权利人】顾伟义 【当前专利权人地址】江苏省无锡市锡山区东港镇港南村
未经允许不得转载:http://www.zhongzhencnc.com/1782333862.html






