【摘要】1.产品名称：灯具(25)。2.产品用途：用于分配和改变光源光分布的器具。3.产品的形状为设计要点。4.产品的立体图最能表明设计要点。【专利类型】外观设计【申请人】江南大学【申请人类型】学校【申请人地址】214122 江苏省无锡市滨
【摘要】 本发明公开了一种量子阱红外探测器，采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料体系，利用MBE或者MOCVD技术生长，通过标准的半导体工艺制备。本发明的量子阱结构具有特定的结构参数，势阱的硅杂质掺杂浓度高于1×1012cm-2，使探测器能够在室温或者准室温状态工作，吸收系数达30％以上，实现了对暗电流的有效抑制，从而大大减小了器件噪声，探测率可达到或者接近理论极限值，响应速度高于1GHz，最高可达100GHz。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡沃浦光电传感科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214122 江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号9号楼10楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010130063.0 【申请日】2010-03-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102201482A 【公开公告日】2011-09-28 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L31/101; H01L31/0352; H01L31/0304 【发明人】刘惠春; 杨耀 【主权项内容】1.一种量子阱红外探测器，包括：GaAs衬底层，在所述GaAs衬底层上通过分子束外延技术或金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs下电极层；先势垒后势阱交替生长多个周期形成的多量子阱层；AlxGa1-xAs势垒层；n型掺杂的GaAs上电极层；其特征在于，所述的多量子阱层，每个周期包括一个AlxGa1-xAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述GaAs势阱层中进行n型掺杂，所掺杂质为硅，其掺杂浓度高于1×1012cm-2。 【当前权利人】无锡沃浦光电传感科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号9号楼10楼 【专利权人类型】有限责任公司 【引证次数】3.0 【被引证次数】10 【他引次数】3.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】10
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