【摘要】一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件,包括:P型衬底及其上设埋氧层,在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层,Ⅰ区包括:N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区,在硅表面设有场氧化层
【摘要】 : 1.本外观设计产品的名称:童装上衣(43)。2.本外观设计产品的用途:用于儿童日常穿着。3.本外观设计的设计要点:在于本产品的款式、图案及色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或者照片:主视图。5.请求保护的外观设计包含色彩。 【专利类型】外观设计 【申请人】唐敏 【申请人类型】个人 【申请人地址】214107 江苏省无锡市锡山区羊尖镇锡沪西路52号毅达针织品有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】锡山区 【申请号】CN201030582046.1 【申请日】2010-10-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301533044S 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301533044S 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【发明人】唐敏 【主权项内容】无 【当前权利人】唐敏 【当前专利权人地址】江苏省无锡市锡山区羊尖镇锡沪西路52号毅达针织品有限公司
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