【摘要】 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件，包括：P型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的P型外延层，Ⅰ区包括：N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：N型三极管漂移区、P型深阱、N型三极管缓冲阱、P型发射区和N型基区、N型源区和P型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于N型基区包在N型缓冲区内部，P型漏区上的漏极金属与N型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010266405.1 【申请日】2010-08-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101969050A 【公开公告日】2011-02-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101969050B 【授权公告日】2013-04-24 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/8249; H01L21/762 【发明人】时龙兴; 钱钦松; 霍昌隆; 孙伟锋; 陆生礼 【主权项内容】一种绝缘体上硅可集成大电流N型组合半导体器件，包括：P型硅衬底(1)，在P型硅衬底(1)上设有埋氧层(2)，其特征在于：在埋氧层(2)中央上方处设有P型深阱(16)，在P型深阱(16)上设有N型环形源区(11)和P型体接触区(12)，所述N型环形源区(11)环绕在P型体接触区(12)的外部，且在N型源区(11)和P型体接触区(12)上设有用于连通N型源区(11)和P型体接触区(12)的源极金属(72)，在埋氧层(2)上还设有第一隔离区(101)和第二隔离区(102)，所述第一隔离区(101)和第二隔离区(102)向埋氧层(2)中心延伸并由此分隔形成第一区域(Ⅰ)和第二区域(Ⅱ)，在第一区域(Ⅰ)内设有N型横向绝缘栅双极型晶体管，在第二区域(Ⅱ)内设有PNP型高压双极型晶体管和N型横向双扩散金属氧化层场效应晶体管，所述的N型横向绝缘栅双极型晶体管的源区采用所述的N型环形源区(11)，所述的PNP型高压双极型晶体管的集电区采用所述的P型体接触区(12)，所述的N型横向双扩散金属氧化层场效应晶体管的源区采用所述的N型环形源区(11)，所述的P型体接触区(12)同时为所述的N型横向绝缘栅双极型晶体管的体接触区，连接于N型横向绝缘栅双极型晶体管漏极的漏极金属(70)通过金属层与连接于PNP型高压双极型晶体管基极的基极金属(70’)连接。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】2.0 【被引证次数】11 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【被自引次数】9.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】26

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