【摘要】 本发明揭露了一种电池保护集成电路，所述电池保护集成电路包括：MOS开关管，其一端接电池，另一端接负载或者充电器；与所述MOS开关管集成于同一个晶圆上的保护控制电路，所述保护控制电路根据电池充电或放电情况而产生控制信号控制所述MOS开关管的导通或截止，其中所述MOS开关管的栅极氧化层厚度大于所述保护控制电路中MOSFET器件的栅极氧化层厚度。所述MOS开关管可以是非对称隔离型高压MOS管。本发明采用平面制作工艺集成高压MOSFET管和控制电路等在同一芯片上，减少了成本和节省了芯片面积，同时还可以满足了该应用中对高压耐受能力的需求。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡中星微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清嘉路530大厦10层 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010514232.0 【申请日】2010-10-20 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102005734A 【公开公告日】2011-04-06 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102005734B 【授权公告日】2013-09-18 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H02H7/18; H01M10/42 【发明人】王钊; 尹航; 杨晓东 【主权项内容】一种电池保护集成电路，其特征在于，其包括：MOS开关管，其一端接电池，另一端接负载或者充电器；与所述MOS开关管集成于同一个晶圆上的保护控制电路，所述保护控制电路根据电池充电或放电情况而产生控制信号控制所述MOS开关管的导通或截止，其中所述MOS开关管的栅极氧化层厚度大于所述保护控制电路中MOSFET器件的栅极氧化层厚度。 【当前权利人】无锡中感微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】913202006925820711 【引证次数】5.0 【被引证次数】27 【他引次数】5.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】25.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】27

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