【摘要】 本发明提供了一种复合半导体器件的侧壁形成方法，包括：提供未形成侧壁的复合半导体器件，所述复合半导体器件至少包括第一元件区以及第二元件区，且各元件区中晶体管的栅介质层厚度各不相同；在所述复合半导体器件各元件区的表面覆盖沉积绝缘介质层；在垂直方向上对所述绝缘介质层进行第一等离子刻蚀，使得第一元件区中形成第一侧壁；在第一元件区的表面形成掩膜层；在垂直方向上对位于第二元件区表面的所述绝缘介质层进行第二等离子刻蚀，使得第二元件区中形成第二侧壁。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010187417.5 【申请日】2010-05-28 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102263062A 【公开公告日】2011-11-30 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102263062B 【授权公告日】2013-05-01 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L21/8238; H01L21/28 【发明人】匡金; 祝孔维; 张明敏; 赵志勇 【主权项内容】一种复合半导体器件的侧壁形成方法，其特征在于，包括：提供未形成侧壁的复合半导体器件，所述复合半导体器件至少包括第一元件区以及第二元件区，且各元件区中晶体管的栅介质层厚度各不相同；在所述复合半导体器件各元件区的表面覆盖沉积绝缘介质层；在垂直方向上对所述绝缘介质层进行第一等离子刻蚀，使得第一元件区中形成第一侧壁；在第一元件区的表面形成掩膜层；在垂直方向上对位于第二元件区表面的所述绝缘介质层进行第二等离子刻蚀，使得第二元件区中形成第二侧壁。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】4.0 【被引证次数】1 【他引次数】4.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】1

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