【摘要】本实用新型提供用于家用电器启动时抗高频干扰的漏电保护装置，包括漏电感应电路，漏电检测电路，电源开关单元，防脉冲群电路，所述漏电感应电路与漏电检测电路相连，用于感应漏电信号并将此电流信号转化成电压信号传送至所述漏电检测电路，所述漏电检
【摘要】 本发明公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。该设计解决了由辐射所产生的总剂量效应(TID)对EEPROM存储阵列中相邻存储单元之间场区漏电的影响。本发明由以下部分组成：1)利用HVNMOS技术，对相邻的EEPROM存储单元进行隔离。2)用于隔离的管子栅接-2V的电压。该阵列设计抗总剂量能力达到300kRad(Si)以上，隔离后相邻单元之间不存在漏电流通路。在抗辐射加固的同时，没有影响到存储单元阵列本身的存储性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】214037 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号58所一部 101研究室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010295040.5 【申请日】2010-09-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101982882A 【公开公告日】2011-03-02 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101982882B 【授权公告日】2011-10-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L29/423 【发明人】王晓玲; 封晴; 田海燕; 赵桂林; 李珂; 肖培磊 【主权项内容】一种抗辐射EEPROM存储阵列结构，其特征在于：利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间，所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构，使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开；用于隔离的HVNMOS隔离管栅端接‑1V到‑3V的电压。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区惠河路5号58所一部101研究室 【引证次数】1.0 【被引证次数】8 【他引次数】1.0 【被自引次数】6.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】8
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