【摘要】 一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由P型外延层和镶嵌在其中的N型半导体区构成，在N型体区上设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，超结结构上设有P型漏区，超结结构上方且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅自栅氧化层上方延伸至第一型场氧化层上方，P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有源极金属引线、栅极金属引线和漏极金属引线，且超结结构中的N型半导体区的深度沿从P型源区到P型漏区的方向上线性变小。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010602345.6 【申请日】2010-12-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102097481A 【公开公告日】2011-06-15 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102097481B 【授权公告日】2012-11-28 【授权公告年份】2012.0 【发明人】时龙兴; 华国环; 朱奎英; 李明; 钱钦松; 孙伟锋; 陆生礼 【主权项内容】一种P型超结横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有超结结构及N型体区(2)，超结结构由P型外延层(11)和镶嵌在P型外延层(11)中的N型半导体区(12)构成，在N型体区(2)上方设有P型源区(4)、N型体接触区(5)及栅氧化层(3)，在超结结构的上方设有P型漏区(14)，在超结结构上方，且位于P型漏区(14)以外的区域设有第一型场氧化层(10)，在栅氧化层(3)上方设有多晶硅栅(6)且多晶硅栅(6)自栅氧化层(3)上方延伸至第一型场氧化层(10)上方，在P型源区(4)、N型体接触区(5)、P型漏区(14)、多晶硅栅(6)和第一型场氧化层(10)上方设有第二型场氧化层(8)，P型源区(4)、P型漏区(14)、及多晶硅栅(6)均接有穿通第二型场氧化层(8)的源极金属引线(7)、漏极金属引线(13)和栅极金属引线(9)，其特征在于，超结结构中的N型半导体区(12)的深度沿从P型源区(4)指向P型漏区(14)的方向上线性变小。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省高淳县经济开发区科创中心大楼405室 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】7 【被自引次数】2.0 【被他引次数】5.0 【家族被引证次数】7

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