【摘要】本实用新型涉及一种超势垒半导体整流器件。其包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区;在第一导电类型漂移区内采用沟槽式MOS管结构;沟槽的外侧设有接触孔;沟槽与接触孔的外壁侧上方均设有第一导电类型注入层;所述沟槽内壁上覆盖有绝缘氧化层
【摘要】 1.产品名称:台灯(5)。2.产品用途:用于照明。3.产品的形状为设计要点。4.产品的主视图最能表明设计要点。 : 【专利类型】外观设计 【申请人】江南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030292757.5 【申请日】2010-08-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301500710S 【公开公告日】2011-03-30 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301500710S 【授权公告日】2011-03-30 【授权公告年份】2011.0 【发明人】于帆 【主权项内容】无 【当前权利人】江南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】1210000071780177X1
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