【摘要】 一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010265754.1 【申请日】2010-08-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101976681A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101976681B 【授权公告日】2012-09-26 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L29/735; H01L29/06; H01L21/265; H01L21/762; H01L21/329 【发明人】孙伟锋; 钱钦松; 孙俊; 苏展; 时龙兴 【主权项内容】一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底(9)，在半导体衬底(9)上面设置有埋氧化层(8)，在埋氧化层(8)上设有N外延层(6)，在N外延层和上面设有P型漂移区(7)与N型阱区(15)，在N阱区(15)表面设有P型源区(12)和N型接触区(11)，在P型漂移区(7)上设有P型缓冲区(14)，在所述的P型缓冲区上方设置N型漏区(10)，在N外延层(6)的表面还设有和栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自N外延层(6)延伸至P型漂移区(7)，在N外延层(6)表面的P型源区(12)、N型接触区(11)，P型漂移区(7)表面除N型漏区(10)以外的区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、N型接触区(11)、P型源区(12)、多晶硅栅(4)及N型漏区(10)的表面设有氧化层(5)，在P型源区(12)、N型接触区(11)、多晶硅栅(4)和N型漏区(10)上分别连接有金属层(2)。其特征在于所述的提高电流密度的高压P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区(14)为P型环形缓冲区且所述P型环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区(16)。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】6.0 【自引次数】2.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1782175099.html