【摘要】本实用新型公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。特征是:其利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间,所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构,使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开;
【摘要】 本实用新型提供了一种改进的漆缸结构,其能有效减少涂漆工艺中绝缘漆的浪费,降低原材料成本,同时减少外界温度、湿度对绝缘漆性能的影响,保证漆包线生产质量。其包括漆槽、毛毡、毛毡压板和废漆槽,所述漆槽的涂漆面由所述的毛毡与毛毡压板构成,所述毛毡通过毛毡压板压紧,所述毛毡压板上开有U形切口,所述废漆槽位于所述漆槽下部,其特征在于:在所述漆槽内安装有斜向挡板,所述斜向挡板将所述漆槽分隔为上、下两部分,所述漆槽的上部分为绝缘漆盛放槽,所述漆槽的下部分安装有绝缘漆恒温装置。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡锡洲电磁线有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区旺庄锡南配套二期C-15号地块 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020574027.9 【申请日】2010-10-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201820530U 【公开公告日】2011-05-04 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201820530U 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01B13/16 【发明人】曹永义; 徐进法; 周里; 金景 【主权项内容】一种改进的漆缸结构,其包括漆槽、毛毡、毛毡压板和废漆槽,所述漆槽的涂漆面由所述的毛毡与毛毡压板构成,所述毛毡通过毛毡压板压紧,所述毛毡压板上开有U形切口,所述废漆槽位于所述漆槽下部,其特征在于:在所述漆槽内安装有斜向挡板,所述斜向挡板将所述漆槽分隔为上、下两部分,所述漆槽的上部分为绝缘漆盛放槽,所述漆槽的下部分安装有绝缘漆恒温装置。。 (,) 【当前权利人】无锡锡洲电磁线有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区旺庄锡南配套二期C-15号地块 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】9132021376103319XW 【被引证次数】3 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】3
未经允许不得转载:http://www.zhongzhencnc.com/1782125202.html






