【摘要】本实用新型涉及一种管件数控钻床的尾架装置，在所述尾架底部设置有与床身直线导轨配合的滑块，主轴两端架设在尾架箱的箱壁上，主轴前端安装有卡盘，在所述尾架底部还设置有齿轮与床身上的齿条相啮合，所述齿轮通过电机驱动，所述电机安装在尾架上。本
【摘要】 本实用新型公布了一种抗辐射EEPROM存储单元阵列结构。特征是：其利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间，所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构，使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开；用于隔离的HVNMOS隔离管栅端接-1V到-3V的电压。本实用新型在保证器件性能的条件下，在单元与单元之间使用隔离结构，以防止单元之间的漏电；解决了由辐射所产生的总剂量效应(TID)对EEPROM存储阵列中相邻存储单元之间场区漏电的影响，提高了EEPROM器件存储单元阵列的抗辐射能力。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】214037 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号58所一部 101研究室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020545985.3 【申请日】2010-09-29 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201853706U 【公开公告日】2011-06-01 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201853706U 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/115; G11C16/08 【发明人】王晓玲; 封晴; 田海燕; 赵桂林; 李珂; 肖培磊 【主权项内容】1. 一种抗辐射EEPROM存储阵列结构，其特征在于：利用多晶硅将EEPROM存储单元包围在中间，所述多晶硅与相邻各个存储单元的有源区形成HVNMOS管的隔离结构，使存储阵列中的每个存储单元与其上下左右四个存储单元隔开；用于隔离的HVNMOS隔离管栅端接-1V到-3V的电压。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区惠河路5号58所一部101研究室 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
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