【摘要】 本实用新型涉及一种基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元的结构。该设计解决了由辐射所产生的总剂量效应(TID)对FLOTOX结构EEPROM存储单元漏电的影响。本实用新型由下列部分组成：1、利用环形栅设计对EEPROM存储单元管进行抗辐射加固。2、利用环形栅设计对选择管进行抗辐射加固。3、利用控制栅全覆盖浮栅进行抗辐射加固。4、利用浮栅与场区不交叠进行抗辐射加固。该单元设计抗总剂量能力达到300KRad(Si)以上，在抗辐射加固的同时，没有影响到单元本身存储的性能。 【专利类型】实用新型 【申请人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】214035 江苏省无锡市惠河路5号58所一部101研究室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020258921.5 【申请日】2010-07-07 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201758125U 【公开公告日】2011-03-09 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201758125U 【授权公告日】2011-03-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L27/115; H01L29/78; H01L29/788; H01L29/423; H01L27/11524; H01L27/11529 【发明人】封晴; 王晓玲; 田海燕; 周昕杰; 郭晓宇 【主权项内容】基于FLOTOX结构的抗辐射EEPROM存储单元结构，其特征在于包括选择管(M1)和存储管(M2)，选择管(M1)为NMOS管，存储管(M2)为FLOTOX结构的EEPROM存储管；所述选择管(M1)包括选择管漏端(1)、多晶硅栅(2)、选择管源端，第八区域(8)作为选择管(M1)的源端，第八区域(8)位于多晶硅栅(2)外围，多晶硅栅(2)为环形将漏端(1)包围起来，环形的多晶硅栅(2)向第八区域(8)方向有一凸出区域，所述凸出区域内部设有接触孔(3)，在漏端(1)区域内部也设有接触孔(3)；存储管(M2)包括存储管源端(5)、浮栅(6)、控制栅(7)、存储管漏端，第八区域(8)同时作为存储管(M2)的漏端，选择管(M1)和存储管(M2)通过第八区域(8)串联；第八区域(8)位于控制栅(7)外围，控制栅(7)和浮栅(6)都为环形将源端(5)包围起来；所述控制栅(7)全覆盖浮栅(6)，浮栅(6)与场区不交叠；在存储管源端(5)区域内部设有接触孔(3)；在存储管(M2)的控制栅(7)下面是浮空的浮栅(6)，浮栅(6)边缘有一个隧道孔(4)，隧道孔(4)作为电子注入或移出浮栅(6)的通道；所述选择管(M1)和存储管(M2)串联组成的存储单元共有四个端口分别为：选择管漏端(1)、存储管源端(5)、选择管(M1)的多晶硅栅(2)、控制栅(7)；选择管(M1)的漏端(1)为存储单元的漏端，与位线相连；存储管(M2)的源端(5)为存储单元的源端，与存储阵列的源相连；选择管(M1)的多晶硅栅(2)为存储单元的选择栅，与字线相连；存储管(M2)的控制栅(7)为存储单元的控制栅，与字节的选通管源端相连。。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市惠河路5号58所一部101研究室 【被引证次数】6 【被自引次数】4.0 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】6

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