【摘要】 本实用新型公开了一种降低载波附近相位噪声的电感电容压控振荡器，该压控振荡器通过在谐振回路两端和压控振荡器输出端插入电阻R1、R2，减小了交叉耦合管对PM1和PM2、NM1和NM2中闪烁噪声对压控振荡器输出频率的调制作用，即减小了交叉耦合管中的闪烁噪声上变频为相位噪声的增益，达到降低压控振荡器近载波相位噪声的目的。 【专利类型】实用新型 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020669211.1 【申请日】2010-12-20 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201878094U 【公开公告日】2011-06-22 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201878094U 【授权公告日】2011-06-22 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H03B7/06 【发明人】吴建辉; 黄福青; 吉新村; 吴秀龙; 王子轩; 朱贾峰; 陈超; 李红; 张萌 【主权项内容】一种降低载波附近相位噪声的电感电容压控振荡器，包括NMOS管NM1和NM2、PMOS管PM1和PM2、谐振回路、电源VDD；所述NMOS管NM1的源极接地，NM1的漏极接PMOS管PM1的漏极，NM1的栅极接谐振回路的第二输入端；所述NMOS管NM2的源极接地，NM2的漏极接PMOS管PM2的漏极，NM2的栅极接谐振回路的第一输入端；所述PMOS管PM1的源极接电源VDD，PM1的漏极接NM1的漏极，PM1的栅极接谐振回路的第二输入端；所述PMOS管PM2的源极接电源VDD，PM2的漏极接NM2的漏极，PM2的栅极接谐振回路的第一输入端；其特征在于：还包括电阻R1和R2；所述电阻R1的第一输入端分别接NM1的漏极和PM1的漏极，R1的第二输入端分别接PM2的栅极、NM2的栅极和谐振回路的第一输入端；所述电阻R2的第一输入端分别接NM2的漏极和PM2的漏极，R2的第二输入端分别接PM1的栅极、NM1的栅极和谐振回路的第二输入端。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】1

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