【摘要】 一种射频低噪声放大器，包括差分放大电路，所述差分放大电路包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极分别通过第一隔直电容、第一电感和第二隔直电容、第二电感与差分射频输入端相连，所述第一MOS管和第二MOS管的源极分别通过第三电感和第四电感接地，所述第一MOS管和第二MOS管的漏极分别通过第五电感和第六电感接于VDD，所述第一MOS管以及第二MOS管的栅极和源极之间分别跨接有第一补充电容和第二补充电容，并且，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与差分射频输出端相连，其中，所述差分射频输出端与混频器直接相连。所述射频低噪声放大器的线性度和电压裕度较高。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡百阳科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214135 江苏省无锡市震泽路18号无锡(国家)软件园水瓶座415室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010022695.5 【申请日】2010-01-08 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102122921A 【公开公告日】2011-07-13 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H03F3/193; H03F3/45; H03F1/22 【发明人】张平山; 潘建平 【主权项内容】一种射频低噪声放大器，包括差分放大电路和偏置调节电路，其特征在于，所述差分放大电路包括：第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极分别通过第一隔直电容、第一电感和第二隔直电容、第二电感与差分射频输入端相连，所述第一MOS管的源极和第二MOS管的源极分别通过第三电感和第四电感接地，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别通过第五电感和第六电感接于VDD，并且，所述第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极分别与差分射频输出端相连；所述偏置调节电路用于向差分放大电路的第一MOS管和第二MOS管提供偏置电压。 【当前权利人】无锡百阳科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市震泽路18号无锡(国家)软件园水瓶座415室 【专利权人类型】有限责任公司 【引证次数】4.0 【被引证次数】7 【他引次数】4.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7

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