【摘要】一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流N型半导体组合器件,包括:P型衬底及其上设埋氧层,在埋氧层上设被分隔成区域I和II的P型外延层,I区包括:N型漂移区、P型深阱、N型缓冲阱、P型漏区、N型源区和P型体接触区,在硅表面设有场氧化
【摘要】 1.该外观设计名称为:裙子(79)。2.该外观设计用于日常穿着。3.该外观设计设计要点在于款式。4.该外观设计主视图最能表明设计要点。5.该外观设计为平面产品。 : 【专利类型】外观设计 【申请人】马腾 【申请人类型】个人 【申请人地址】214125 江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号科创中心二楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201030299226.9 【申请日】2010-08-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN301500970S 【公开公告日】2011-04-06 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN301500970S 【授权公告日】2011-04-06 【授权公告年份】2011.0 【发明人】马腾 【主权项内容】无 【当前权利人】马腾 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区锦溪路100号科创中心二楼
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