【摘要】 一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，包括型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P外延层，在P外延层上面设有N型漂移区与P阱区，在P阱区表面设有N型源区和P型接触区，在N型漂移区上设有N型缓冲区，P型漏区，在P外延的表面还设有栅氧化层，在P阱的表面有N型源区、P型接触区，N型漂移区表面的P型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述N型绝缘体上硅横向器件的N型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成N型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长P型外延；制备N型漂移区与P阱；制备环形N型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶硅栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010265783.8 【申请日】2010-08-27 【申请年份】2010 【公开公告号】CN101976682A 【公开公告日】2011-02-16 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN101976682B 【授权公告日】2013-01-02 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06; H01L21/265 【发明人】钱钦松; 刘斯扬; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，包括：P型半导体衬底(9)，在半导体衬底(9)上面设置有埋氧化层(8)，在埋氧化层(8)上设有P外延层(6)，在P外延层和上面设有N型漂移区(7)与P型阱区(15)，在P阱区(15)表面设有N型源区(12)和P型接触区(11)，在N型漂移区(7)上设有N型缓冲区(14)，在所述的N型缓冲区上方设置P型漏区(10)，在P外延层(6)的表面还设有和栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自P外延层(6)延伸至N型漂移区(7)，在P外延层(6)表面的N型源区(12)、P型接触区(11)，N型漂移区(7)表面除P型漏区(10)以外的区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、P型接触区(11)、N型源区(12)、多晶硅栅(4)及P型漏区(10)的表面设有氧化层(5)，在N型源区(12)、P型接触区(11)、多晶硅栅(4)和P型漏区(10)上分别连接有金属层(2)。其特征在于所述的提高电流密度的高压N型绝缘体上硅横向器件的N型缓冲区(14)为N型环形缓冲区且所述N型环状缓冲区向内扩散形成N型缓冲扩散区(16)。 微信 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【自引次数】2.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0

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