【摘要】 一种横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积场板介电层，图形化所述场板介电层，形成横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的场板。本发明通过在半导体衬底上沉积场板介电层以制作场板，场板下方的电场线不发生弯曲，解决了因电场线弯曲引起的沟道穿通问题；同时，通过各向同性刻蚀方法在场板边缘形成了斜坡状过渡，所述场板边缘的斜坡状过渡使得场板上的栅电极不会因为尖端放电而被击穿。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010187627.4 【申请日】2010-05-25 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102263029A 【公开公告日】2011-11-30 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H01L21/336; H01L29/78; H01L29/06 【发明人】桂林春; 王乐; 林奕琼 【主权项内容】一种横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积场板介电层；图形化所述场板介电层，形成横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的场板。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】5.0 【被引证次数】10 【他引次数】5.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10

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