【摘要】 本实用新型涉及一种具有改善型集电极结构的IGBT。其包括半导体基板；半导体基板的第二主面上设置第二导电类型集电区及金属化集电极；半导体基板内设有第二导电类型基区；第二导电类型基区的上部设有第一导电类型发射区；半导体基板的第一主面上还设有绝缘栅、绝缘介质层与金属化发射极；第二导电类型集电区包括一个或多个具有第一掺杂浓度的第一区域和一个或多个具有第二掺杂浓度的第二区域，第一区域包围多个第二区域或第一区域与第二区域交替邻接设置；第一区域的第一掺杂浓度小于第二区域的第二掺杂浓度，且第一区域的第一掺杂浓度大于第一导电类型半导体基板的掺杂浓度。本实用新型通态压降低，具有较低的关断损耗及较高的耐冲击性能。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020214386.3 【申请日】2010-06-04 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201725797U 【公开公告日】2011-01-26 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201725797U 【授权公告日】2011-01-26 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/08; H01L29/423 【发明人】朱袁正; 叶鹏; 胡永刚 【主权项内容】一种具有改善型集电极结构的IGBT，在所述半导体IGBT器件的截面上，包括具有两个相对主面的第一导电类型的半导体基板，半导体基板包括第一主面与第二主面；所述半导体基板的第二主面上设置第二导电类型集电区，所述第二导电类型集电区上淀积有金属化集电极；所述半导体基板内设有第二导电类型基区，所述第二导电类型基区邻近第一主面，且与第一主面相接触；所述第二导电类型基区的上部设有第一导电类型发射区；所述半导体基板的第一主面上还设有绝缘栅、绝缘介质层与金属化发射极；所述绝缘栅与第一导电类型发射区相接触，所述绝缘栅与金属化发射极利用绝缘介质层相隔离；所述金属化发射极淀积在第一主面上，并与第一导电类型发射区、第二导电类型基区电性接触；其特征是：在所述半导体IGBT器件的截面上，所述第二导电类型集电区包括一个或多个具有第一掺杂浓度的第一区域和一个或多个具有第二掺杂浓度的第二区域，所述第一区域包围多个第二区域或第一区域与第二区域交替邻接设置；所述第一区域的第一掺杂浓度小于第二区域的第二掺杂浓度，且所述第一区域的第一掺杂浓度大于第一导电类型半导体基板的掺杂浓度。 【当前权利人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【引证次数】2.0 【被引证次数】2 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2

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