【摘要】 本实用新型涉及一种具有改进型终端的IGBT及其制造方法，其第二分压保护区包括至少一个第二导电类型注入区，第二导电类型注入区在第一导电类型漂移区内沿第一主面指向第二主面的方向延伸，相邻的第二导电类型注入区由第一导电类型漂移区相间隔；第二导电类型注入区内包括至少一个分压沟槽，分压沟槽位于第二导电类型注入区内，并沿第二导电类型注入区的轴线分布；分压沟槽内填充有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层填充在分压沟槽内，并覆盖在半导体基板相应的第一主面上。本实用新型提高了器件的耐压可靠性，增大了器件设计尺寸和制造工艺波动的容宽窗口，缩小了器件终端保护区所占芯片整体面积的比重，从而降低了成本。 【专利类型】实用新型 【申请人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201020563312.0 【申请日】2010-10-15 【申请年份】2010 【公开公告号】CN201829504U 【公开公告日】2011-05-11 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN201829504U 【授权公告日】2011-05-11 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06 【发明人】朱袁正; 丁磊; 叶鹏; 胡永刚 【主权项内容】一种具有改进型终端的IGBT，在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外围；所述终端保护区包括位于其内圈的分压保护区及位于其外圈的截止保护区；所述分压保护区包括第一分压保护区与第二分压保护区，所述第一分压保护区环绕保护有源区，第二分压保护区位于第一分压保护区的外圈，并环绕包围第一分压保护区及有源区；其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述半导体基板具有两个相对的主面，所述主面包括第一主面与第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；第二分压保护区包括至少一个第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区在第一导电类型漂移区内沿第一主面指向第二主面的方向延伸，相邻的第二导电类型注入区由第一导电类型漂移区相间隔；所述第二导电类型注入区内包括至少一个分压沟槽，所述分压沟槽位于第二导电类型注入区内，并沿由第一主面指向第二主面的方向在第二导电类型注入区内延伸；所述分压沟槽内填充有第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层填充在分压沟槽内，并覆盖在半导体基板相应的第一主面上。 【当前权利人】无锡新洁能功率半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号无锡(滨湖)国家传感信息中心启航大厦8楼 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【被引证次数】11 【被自引次数】2.0 【被他引次数】9.0 【家族被引证次数】11

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