【摘要】 本发明涉及一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构，其包括信号延时电路及抗单粒子锁存电路；信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度；抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时电路输出的外部输入延时信号，当外部输入信号与外部输入延时信号相同时，抗单粒子锁存电路根据外部输入信号的状态输出并锁存相应的状态信号；当外部输入信号与外部输入延时信号不同时，抗单粒子锁存电路输出前一时刻抗单粒子锁存电路锁存的状态信号。本发明提高了电路受单粒子扰动后恢复的速度，能够抵御SEU效应和SET效应对电路的干扰，电路结构简单，减小了占用面积，降低了功耗，提高了系统的可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010560005.1 【申请日】2010-11-26 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102064814A 【公开公告日】2011-05-18 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102064814B 【授权公告日】2012-09-05 【授权公告年份】2012.0 【发明人】周昕杰; 薛忠杰; 王栋; 罗静; 徐睿; 周毅 【主权项内容】一种基于状态保存机制的抗单粒子锁存结构，其特征是：包括信号延时电路及与所述信号延时电路相连的抗单粒子锁存电路；所述信号延伸电路用于将输入信号延时后输出，所述信号延时电路的延时时间大于单粒子瞬态扰动产生的最大脉冲宽度；所述抗单粒子锁存电路同时接收并比较外部输入信号及所述外部输入信号经过信号延时电路输出的外部输入延时信号，当所述外部输入信号与外部输入延时信号相同时，抗单粒子锁存电路根据外部输入信号的状态输出并锁存相应的状态信号；当所述外部输入信号与外部输入延时信号不同时，抗单粒子锁存电路输出前一时刻抗单粒子锁存电路锁存的状态信号。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第五十八研究所 【当前专利权人地址】江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 【被引证次数】14 【被他引次数】14.0 【家族被引证次数】14

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