【摘要】 一种光刻方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成薄膜；在所述薄膜上形成光阻层；图形化所述光阻层，形成光阻图形；以光阻图形为掩模，蚀刻薄膜形成条或孔的薄膜图形，在形成薄膜图形的过程中采用线宽修整步骤缩小条或孔的薄膜图形的线宽。所述光刻方法在低端光刻机上，实现了较小线宽的光刻图形，降低了制造成本；另一方面，低端光刻机的焦深较大，不容易出现离焦现象，制造工艺难度小。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010213825.3 【申请日】2010-06-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102298259A 【公开公告日】2011-12-28 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】G03F7/00 【发明人】桂林春; 王乐; 邵永军; 祝孔维 【主权项内容】一种光刻方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成薄膜；在所述薄膜上形成光阻层；图形化所述光阻层，形成光阻图形；以所述光阻图形为掩模，蚀刻所述薄膜形成条或孔的薄膜图形，在形成薄膜图形的过程中采用线宽修整步骤缩小条或孔的薄膜图形的线宽。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司; 无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号; 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资); 有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J; 91320214739444443B 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0

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