【摘要】 一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法，包括P型绝缘体上硅硅片，第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极，在制造中先在第一P型外延层右区注入形成P型埋层，然后在第二P型外延层右区注入形成P型高能离子注入层并且二者连通，浓度由下至上变大形成导电通路，能有效抑制闩锁效应的发生。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010600170.5 【申请日】2010-12-22 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102130153A 【公开公告日】2011-07-20 【公开公告年份】2011 【授权公告号】CN102130153B 【授权公告日】2012-09-19 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/08; H01L21/331; H01L21/265 【发明人】时龙兴; 刘斯扬; 祝靖; 朱奎英; 钱钦松; 孙伟锋; 陆生礼 【主权项内容】一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设置有埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上设置有第一P型外延层(3)，在第一P型外延层(3)上方设置有第二P型外延层(5)，在第二P型外延层(5)的左侧设有N型掺杂深阱(7)，在N型掺杂深阱(7)和部分第二P型外延层(5)中设有N型掺杂漂移区(8)，在N型掺杂漂移区(8)内设有N型缓冲层(10)，在N型缓冲层(10)内设有P型掺杂阳极接触区域(11)，在第二P型外延层(5)的右侧设有P型掺杂沟道区(9)，在P型掺杂沟道区(9)中设有N型掺杂阴极接触区域(13)和P型掺杂体接触区(12)，在N型掺杂漂移区(8)的上方和部分P型掺杂沟道区(9)的上方设有第一型场氧化层(16)，在N型掺杂漂移区(8)的右上方设有栅氧化层(14)，并且栅氧化层(14)向右延伸至部分P型掺杂沟道区(9)的上方，在栅氧化层(14)的上方设有多晶硅(15)，作为器件的栅极，并且多晶硅(15)延伸至第一型场氧化层(16)上方，作为器件的栅极场板，在多晶硅(15)、第一型场氧化层(16)以及N型掺杂阴极接触区域(13)和P型掺杂体接触区(12)上方覆盖有第二型场氧化层(17)，在P型掺杂阳极接触区域(11)上连接有阳极金属电极(18)，在N型掺杂阴极接触区域(13)和P型掺杂体接触区(12)上连接有阴极金属层(19)，其特征在于在第一P型外延层(3)内的右侧设置有P型埋层(4)，在第二P型外延层(5)内的右侧设置有P型高能离子注入层(6)并且P型高能离子注入层(6)的下表面与P型埋层(4)的上表面连通，所述P型埋层(4)掺杂杂质浓度大于P型高能离子注入层(6)的掺杂杂质浓度，P型高能离子注入层(6)的掺杂杂质浓度大于P型掺杂沟道区(9)掺杂杂质浓度，P型埋层(4)左边界至少延伸至第一型场氧化层(16)的右边界的正下方区域，P型高能离子注入层(6)的左边界延伸至N型掺杂阴极接触区域(13)左边界的正下方区域。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】4.0 【被引证次数】12 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】12.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】12

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