【摘要】 本发明公开了一种降低载波附近相位噪声的电感电容压控振荡器，该压控振荡器通过在谐振回路两端和压控振荡器输出端插入电阻R1、R2，减小了交叉耦合管对PM1和PM2、NM1和NM2中闪烁噪声对压控振荡器输出频率的调制作用，即减小了交叉耦合管中的闪烁噪声上变频为相位噪声的增益，达到降低压控振荡器近载波相位噪声的目的。 【专利类型】发明申请 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201010596186.3 【申请日】2010-12-20 【申请年份】2010 【公开公告号】CN102142837A 【公开公告日】2011-08-03 【公开公告年份】2011 【IPC分类号】H03L7/099 【发明人】吴建辉; 黄福青; 吉新村; 吴秀龙; 王子轩; 朱贾峰; 陈超; 李红; 张萌 【主权项内容】一种降低载波附近相位噪声的电感电容压控振荡器，包括NMOS管NM1和NM2、PMOS管PM1和PM2、谐振回路、电源VDD；所述NMOS管NM1的源极接地，NM1的漏极接PMOS管PM1的漏极，NM1的栅极接谐振回路的第二输入端；所述NMOS管NM2的源极接地，NM2的漏极接PMOS管PM2的漏极，NM2的栅极接谐振回路的第一输入端；所述PMOS管PM1的源极接电源VDD，PM1的漏极接NM1的漏极，PM1的栅极接谐振回路的第二输入端；所述PMOS管PM2的源极接电源VDD，PM2的漏极接NM2的漏极，PM2的栅极接谐振回路的第一输入端；其特征在于：还包括电阻R1和R2；所述电阻R1的第一输入端分别接NM1的漏极和PM1的漏极，R1的第二输入端分别接PM2的栅极、NM2的栅极和谐振回路的第一输入端；所述电阻R2的第一输入端分别接NM2的漏极和PM2的漏极，R2的第二输入端分别接PM1的栅极、NM1的栅极和谐振回路的第二输入端。。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】3.0 【被引证次数】7 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】7

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